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模电试题及答案模板

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《模拟电子技术基础》试题(A卷)

学号姓名 .

一、判定下列说法是否正确,用“×”或“√”表示判定结果。(10分)

1)在运算电路中,同相输入端和反相输入端均为“虚地”。()

2)电压负反馈稳定输出电压,电流负反馈稳定输出电流。()

3)使输入量减小反馈是负反馈,不然为正反馈。()

4)产生零点漂移原因关键是晶体管参数受温度影响。()

5)利用两只NPN型管组成复合管只能等效为NPN型管。()

6)本征半导体温度升高后两种载流子浓度仍然相等。()

7)未加外部电压时,PN结中电流从P区流向N区。()

8)集成运放在开环情况下一定工作在非线性区。()

9)只要引入正反馈,电路就会产生正弦波振荡。()

10)直流稳压电源中滤波电路是低通滤波电路。()

二、选择填空(10分)

1)为了减小输出电阻,应在放大电路中引入 ;

为了稳定静态工作点,应在放大电路中引入。

A)电流负反馈(B)电压负反馈(C)直流负反馈(D)交流负反馈

2RC 串并联网络在

f

?

f

?

1

时呈。





0

2?RC


A)感性(B)阻性(C)容性



3)通用型集成运放输入级多采取。

A)共基接法(B)共集接法(C)共射接法(D)差分接法

4)两个β相同晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为。

Aβ Bβ2 C2β D1+β

5)在(A)、(B)、(C)三种电路中输出电阻最小电路是 ;

既能放大电流,又能放大电压电路是。

A)共基放大电路(B)共集放大电路(C)共射放大电路

6)当NPN型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为uCuBuE

A>B<C=D)≤

7)硅二极管正向导通压降比锗二极管。

A)大(B)小(C)相等

三、(5分)图示电路中二极管为理想二极管,请判定它是否导通,并求出u0

四、(10分)在图示电路中,已知晶体管静态时B-E间电压为UBEQ,电流放大系数为β,

B-E间动态电阻为rbe。填空:

静态时, IBQ表示式为 , ICQ表示式

, UCEQ表示式

; 电压放大倍数表示式



,输入电阻表示式为 ,输出电阻表示式为 ;

若减小RB, ICQ , rbe ,

A?

u

, Ri将。

五、(10分)在图示电路中,已知晶体管静态时UBEQ=0.7V,电流放大系数为β=100,

rbe=1kΩ,RB1=5kΩ,RB2=15kΩ,RE=2.3kΩ,RC=RL=3kΩ,VCC=12V

1)估算电路静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。

2)估算信号源内阻为RS=1kΩ,

A?

us

?

U?

0

U?

S

数值。

六、(10分)在图示电路中,已知VCC=12V,VEE=6V,恒流源电路

I=1mA, RB1=RB2=1kΩ,RC1=RC2=10kΩ;两只晶体管特征完全相同,

β1=β2=100,rbe1=rbe2=2kΩ。估算:

1)电路静态时T1T2管集电极电位;

2)电路差模放大倍数Ad、共模放大倍数AC、输入电阻Ri和输出电阻R0



七、(5 分)在图示OCL 电路中, 已知T1 T2

U CES

?

1 V

, 电源电压为±9V, 负载电阻RL=8 Ω, 试计

算最大输出功率Pom及效率η

八、(8 分)设图示各电路均引入了深度交流负反馈, 试判定各电路引入了哪种组态交

流负反馈, 并分别估算它们电压放大倍数。

九、(6 分)在图示电路中, 要求RF =100 kΩ, 百分比系数为11, 试求解R、和

R?

值。



十、(6 分)求解图示电路运算关系式。

十一、(9 分)在图示文氏桥振荡电路中,

已知R1=10 kΩ, R C 可调范围分别为1~100

kΩ 0.001~1μF

1)振荡频率可调范围是多少?

2RF下限值为多少?

十二、(5 分)在图示电路中, 已知W7806 输出

电压为6V, R1=R2=R3=200 Ω, 试求输出电压U0调整

范围。






十三、(6分)串联型稳压电路图所表示,T2T3管特征完全相同,T2管基极电流可

忽略不计, 稳压管稳定电压为UZ。 填空:

调整管为 , 输出电压采样电阻由

组成, 基准电压电路由 组成, 比较放大

电路 组成;

输出电压调整范围表示式为

《模拟电子技术基础》试题(B 卷)

学号姓名 .

一、判定下列说法是否正确, 用“×”或“√”表示判定结果。(10 分)

1)只要满足相位平衡条件, 电路就会产生正弦波振荡。()

2)引入直流负反馈能够稳定静态工作点。()

3)负反馈越深, 电路性能越稳定。()

4)零点漂移就是静态工作点漂移。()

5)放大电路采取复合管是为了增大放大倍数和输入电阻。()

6)镜像电流源电路中两只晶体管特征应完全相同。()

7)半导体中空穴带正电。()

8P 型半导体带正电, N 型半导体带负电。()



9)实现运算电路不一定非引入负反馈。()

10)通常引入正反馈集成运放,一定工作在非线性区。()

二、选择填空(10分)

1)为了增大输出电阻,应在放大电路中引入 ;

为了展宽频带,应在放大电路中引入。

A)电流负反馈(B)电压负反馈(C)直流负反馈(D)交流负反馈

2)在桥式(文氏桥)RC正弦波振荡电路中,

AφA=-1800,φF=+1800BφA=+1800,φF=+1800CφA=00,φF=00

3)集成运放互补输出级采取。

A)共基接法(B)共集接法(C)共射接法(D)差分接法

4)两个β相同晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为。

Aβ Bβ2 C2β D1+β

5)在(A)、(B)、(C)三种电路中输入电阻最大电路是 ;

既能放大电流,又能放大电压电路是。

A)共基放大电路(B)共集放大电路(C)共射放大电路

6)当PNP型晶体管工作在放大区时,各极电位关系为uCuBuE

A>B<C=D)≤

7)硅二极管正向导通压降比锗二极管。

A)大(B)小(C)相等

三、(5分)图示电路中二极管为理想二极管,请判定它是否导通,并求出u0



四、(10分)在一个放大电路中,三只三极管三个管脚①、②、 ③电位分别如表所表

,将每只管子所用材料(SiGe)、类型(NPNPNP)及管脚为哪个极(ebc

填入表内。

管号

T1

T2

T3

管号

T1

T2

T3

管脚
电位
V

0.7

6.2

3

电极名称




0

6

10




5

3

3.7




材料




类型




五、(10分)在图示电路中,已知晶体管静态时UBEQ=0.7V,电流放大系数为β=80,

rbe=1.2kΩ,RB=500kΩ,RC=RL=5kΩ,VCC=12V

1)估算电路静态工作点、电压放大倍数、输入电阻和输出电

阻。

2)估算信号源内阻为RS=1.2kΩ,

A?

us

?

U?

0

U?

S

数值。

六、(10分)在图示电路中,已知VCC=12V,VEE=6V,恒流源电路

I=1mA, RB1=RB2=1kΩ,RC1=RC2=10kΩ;两只晶体管特征完全相同,



β1=β2=100,rbe1=rbe2=2kΩ。估算:

1)电路静态时T1T2管集电极电位;

2)电路差模放大倍数Ad、共模放大倍数AC、输入电阻Ri和输出电阻R0

七、(5 分)在图示OCL 电路中, 已知T1 T2

U CES

?

1 V

, 电源电压为±9V, 负载电

RL=8 Ω, 试计算最大输出功率Pom及效率η

八、(8 分)设图示各电路均引入了深度交流负反馈,

判定各电路引入了哪种组态交流负反馈, 并分别估算它们电压

放大倍数。



九、(6分)在图示电路中,要求其输入电阻 20

kΩ, 百分比系数为-15, 试求解R RF

R?

阻值。

十、(6分)求解图示电路运算关系式。

十一、(9分)将图示电路合理连接,组成桥式(即文氏桥)正弦波振荡电路,并估算电

路振荡频率和R1最大值。



十二、(5分)在图示电路中,已知W7805输出电压为5V,IW=5mA,R1=1kΩ,R2=200

Ω。试求输出电压U0调整范围。

十三、 (6 分)串联型稳压电路图所表示, 稳压管稳定

电压为UZ。 填空:

调整管为 , 输出电压采样电阻由

组成, 基准电压电路由 组成, 比较放大

电路由 组成; 输出电压调

整范围表示式为

A 卷参

一、 (1×2)√(3×4)√(5) √

6)√(7×8)√(9×10)√

二、 (1BC2B3D4B5BC

6AA7A

三、 二极管D 导通, -3V

四、

I


?

V CC

?

U

BEQ

;

I


?

?


;

U


?

V

?

I


R

;

A?

?

?

?R

L?

;



BQ



R

B




CQ



BQ



CEQ


CC



CQ

C


u



r be








R i

?

R

B

//

r be

;

R ?0

R C

; 增大; 减小; 减小; 减小

五、3V;1mA; 10цA; 6.7V; -150; 0.79kΩ; -66.7

六、7V;-333; 0; 6 kΩ; 20 kΩ

七、4W;5.7W; 70%

八、(a)电压并联负反馈;-R2/R1 b)电压串联负反馈;1+R2/R1

九、10kΩ; 9 kΩ

十、

u


?

?

R

2

u



?

( 1

?

R

2

) u





0



R 1


I

1




R 1


I

2

十一、1.6HZ160kHZ;20 kΩ

十二、9V;8V

十三、T1; R1R2R3;RDZ;T2T3RERC;

R 1

?

R

2

?

R 3

U


?

U


?

R 1

?

R

2

?

R 3

U



R

2

?

R 3



Z



0




R 3




Z

B卷参

一、(1×2)√(3×4)√(5)√

6)√(7)√(8×9×10×

二、(1AD2C3B4B5BC

6BB7A

三、二极管D截止,-6V

四、

管号

T1

T2

T3

管号

T1

T2

T3




管脚
电位
V

0.7

6.2

3

电极名称

B

E

E

0

6

10

E

B

C

5

3

3.7

C

C

B

材料

Si

Ge

Si

类型

NPN

PNP

NPN

五、22.6цA;1.8mA; 3V; -167; 1.2kΩ; 5 kΩ; -83.5

六、7V;-333; 0; 6 kΩ; 20 kΩ

七、4W;5.7W; 70%

八、(a)电压串联负反馈;1+R2/R1 b)电压并联负反馈;-R2/R1

九、20kΩ; 300kΩ;18.75 kΩ

十、

u


?

u



?

R

2

u





0



I

1


R 1


I

2

十一、 160HZ;50 kΩ

十二、5V--35V

十三、 T ; RRR; RD; A;

R 1

?

R

2

?

R 3

U


?

U


?

R 1

?

R

2

?

R 3

U


123Z


R

2

?

R 3



Z



0




R 3




Z


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